电源管理芯片是现代电子产品和设备中不可缺少 关键部件。
“除了前面提到 成本、供应链和可靠性外,Gan对于企业上同类产品新大 优势来自集成,因为集成可以使芯片非常智能,通过电流场效应管 环境、电流和温度可以采取相应 措施。这样不仅可以在更高 水平上提高可靠性,而且可以提高可靠性,为电力设计人员节省了大量 设计步骤。因此,与企业上同类产品相比,我们产品新大 优势是驱动和保护 一体化,这使我们成为一款更智能 产品,而不仅仅是一款ganfet。”
Ti指出,lmg四425r0四0可以在AC/DC电力传输应用中实现更高 效率和功率密度,功耗更低,板空间更小。
Ti指出,随着电力需求 增加,电路板 面积和厚度成为限制因素。电源设计人员必须将更多 电路集成到他们 应用中,以实现产品差异化,提高效率和提高热性能。TI认为,功率密度、低EMI、低智商、低噪声、高精度和隔离功能是未来电源管理芯片发展 五个重要因素。
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发热少，采用我们先进 器件和氮化镓技术,我们可以获得优良 器件开关性能。
从早些时候TI公布 氮化镓发展路线图中,我们便得以发现,其氮化镓产品将要向汽车、电网存储和太阳能等领域发展。
伴随着越来越多 传统终端开始向电气化和智能化方向发展,这就为电源管理芯片带来了巨大 商机。天风证券 报告中指出,目前,电源管理芯片部分应用于计算机、网络通信、消费电子和工业控制等领域。汽车电子领域虽然现在所占企业份额较小,但是近年来其发展速度却不容忽视。
向工业领域继续拓展
在本次发布会当中,必威英超港讯息出炉,SteveTom特别强调了LMG四525R0四0-Q1 集成驱动优势。他指出,比较离散 解决方案,集成驱动可以实现高速 切换频率以及较大 压摆率。他预测,这些优势可以为汽车提供更快 充电时间,更高 可靠性以及更低 成本。所以,必威英超港据统计,这些可以在系统长期稳定性、可靠性方面,为汽车解决方案提供很大 优势。
对于汽车方面需要非常多层级 电源转化,车载充电器可能是一方面,进行一个AC/DC PFC转换,另外还有GaN可以被应用在高压 DC/DC 转化方面,因为汽车是整体需要非常多层级 电源转化,所以GaN可以被应用在汽车 许多方面。
德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理SteveTom表示，“TIGaN所关注 是如何是提供并在应用中达到更高 功率密度。如果你仔细观察周围 世界会发现,电源管理是非常重要 ,包括现在在汽车和工厂里面 应用,以及在更智能更小巧 消费品中,电源管理无处不在。”
据其官方资料介绍,TI历经十多年 投资和开发,提供了独有 整体解决方案——将内部硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件 好、封装与优化 硅基驱动器技术相结合,从而能在新应用中成功采用GaN。
据悉,采用TIGaNFET 封装产品,其热阻抗比性能新接近 同类产品还要低2四％,因此可使工程师使用更小 散热器,同时简化散热设计。无论应用场景如何是,这些新器件均可提供更大 散热设计灵活性,并可选购底部或顶部冷却封装。此外,FET集成 数字温度报告功能还可实现有源电源管理,从而使工程师能在多变 负载和工作条件下优化系统 热性能。
提到电源管理芯片,就不得不提这个领域中 市场龙头——TI。早在以前,TI就开启了在氮化镓领域 探究。在这十年当中,TI不仅增加了其在工业、电信、服务器和个体电子产品中 应用,还完成了超过4000万小时 可靠性测试。
效率更高，借助多级转换器拓扑和先进 功率级栅极驱动器,使用较小 无源器件实现较高 开关频率,同时又不影响效率。
更小 系统占用空间，利用高级 多芯片模块技术,节省布板空间、简化电路板布局并降低寄生效应 影响。
根据其官方资料介绍,与现有解决方案相比,新 GaNFET系列采用快速切换 2.2MHz集成栅极驱动器,可为工程师提供两倍 功率密度和高达99％ 效率,并将电源磁性器件 尺寸减少59％。据介绍,该款新产品也是TI针对氮化镓产品 战略性投资。
根据这一发展计划,日前,TI推出了其面向汽车和工业应用 下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）,进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。其中,LMG四525R0四0-Q1是其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理 车用GaNFET。
根据这种企业发展统计,近年来,致力于电源管理芯片 厂商也开始从低端消费电子开始向汽车领域靠拢。但对于车用半导体来说,耐高温以及更大功率是他们对相关器件 需求。这些越来越高 要求也使得氮化镓登上了电源管理芯片 舞台,成为了新一代电子信息技术革命中 关键一环。
此外LMG四425R0四0 集成化设计还可以进行热监测,在过温 时候提供保护。该器件也可以在集成驱动中也可以监测电流,在过流或者短路 时候,其GaNFET可以启动自我保护程序。
汽车GaNFET将带来如何改变
热性能更好，利用先进 冷却技术（包括增强型HotRod?QFN封装、电源晶圆芯片级封装和顶部散热）,帮助封装体散热。
电源管理芯片 关键指标
这款LMG四425R0四0在工业中具有非常广泛 应用,包括5G、电信、服务器等领域,同样,在电源AC/DC转换中也拥有非常广泛 应用场景。SteveTom表示介绍，“通常在传统 应用中,在非常高 效率、功率密度以及非常低 成本中必须要有所取舍。但是,GaN可以达到99% 效率,同时在成本方面,氮化镓器件也十分具有竞赛力。”
通过在先进工艺以及封装等方面 探索,TI在其电源管理芯片 功率密度上得到了突破。根据TI官网介绍,TI功率密度技术 部分优势包括，
除了在汽车领域有所突破外,必威英超港编辑报道,工业领域也是TIGaNFET 另一个发展方向。LMG四425R0四0便是TI针对工业领域推出 新产品。
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