innosecco宽带禁带半导体项目主体建设完成

发布者:hpediter 发布时间:2020-06-01 11:23:51

innosecco宽带禁带半导体项目主体建设完成

“这篇文章是从网上转载 。版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除。”

据规划,项目开工后两年内投产,投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件 总目标,年销售收入约80亿元,年税收不低于10亿元。

根据江苏经济报此前报道,该项目建成投产后将填补国内相关领域空白,必威英超港焦点,并成为世界好个大型量产基地。该项目也是该领域全世界首个大型量产基地,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业 自主创新发展,必威英超港李力认为,提供核心电子元器件。

资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地四68.6亩,部分建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,必威英超港特别报道,器件制备,后段高端封测以及模块加工 全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界好 集研发、设计、外延好、芯片制造、分装测试等于一体 第三代半导体全产业链研发好平台。

,