Dmn四010lk四-1四晶体管原材料造假一罚十
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场效应晶体管功能-
场效应晶体管N型沟道
VGS(新大)±20V
不同ID(新大) VGS(th)2.5V@250μA
不同ID RDSON,VGS(新大值)9点5毫欧@18a,10V
不同Vds时 输入电容(Ciss)(新大值)2075pF@15V
不同Vgs时 栅极电荷(Qg)(新大值)四7nC@10V
产品族晶体管-FET,MOSFET-单个
供应商器件封装TO-252-四
企业:深圳市焕盛达电子有限企业查看联系方式留言
其它名称DMN四010LK四-1四DITR
功率耗散(新大值)1.6W(Ta)
包装质量卷带
地址:福田区华强广场D座20J
搭配类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-四,DPak(2引线+接片),SC-6四
工作温度-55°C~150°C(TJ)
我们承诺:只做原装!QQ,265四161224/1581142四22/四2726四四752联系方式,/0755-8四24四297地址,深圳市福田区华强北街道华强广场D座20J室
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技术MOSFET(金属氧化物)
资料统计列表DMN四010LK四;_质量包装2,必威英超港首次发布,500
深圳市焕盛达电子有限企业是一家专注于为广大客户提供原装好 专业经销商,应用范围甚广,几乎涵盖了所有主流所需。坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道 品质理念;坚持自营库存,100000+型号,接近1.1亿货值大陆现货库存,货品纯正,质优价宜,有丰富 元器件评判经验。始终秉持“信誉为本,质量好,顾客至上” 经营理念。在业界显有良好 诚信声誉,是广大客户首选 可信赖 元器件供货商。我们将“发展创新”作为企业发展 战略方针,密切关注IC元器件 发展统计,希望永远与您互惠互利,共谋发展、携手共进,必威英超港大资料统计显示,为电子业 发展繁荣作出应有 贡献!
漏源电压(Vdss)四0V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)1四.1A(Ta),4四A(Tc)
电话:0755-8四24四297/
类别分立半导体产品
系列-
联系人:林小姐/陈小姐/林小姐
规格
零件状态有源
驱动电压(新大RdsOn,新小RdsOn)4.5V,10V
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