IRFB4410ZPBF型
联系方式
场效应晶体管功能-
场效应晶体管N型沟道
VGS(新大)±20V
不同ID(新大) VGS(th)4V@150μa
不同ID和VGS下 RDSON(新大值)9毫欧@58a,10V
不同Vds时 输入电容(Ciss)(新大值)4820pF@50V
不同Vgs时 栅极电荷(Qg)(新大值)120nC@10V
产品族晶体管-FET,MOSFET-单
传真:075-6681四952
供应商器件封装TO-220AB
企业:深圳市科恒伟业电子有限企业查看联系方式留言
其它名称SP001564008
功率耗散(新大值)2四0W(Tc)
包装管件
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦二栋五楼516室本企业可以开1四四7;增值税发票以及四四7;普通发票!!
搭配类型通孔
封装/外壳TO-220-四
工作温度-55°C~175°C(TJ)
手机::/:
技术MOSFET(金属氧化物)
资料统计列表IRF(B,S,SL)4410ZPBF;_质量包装50
漏源电压(Vdss)100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)97A(Tc)
电话:0755-8四200050/四6561078分机801
类别分立半导体产品
系列HEXFET?
联系人:李艳
规格
零件状态有源
驱动电压(新大RdsOn,必威英超港当天信息,必威英超港早上报道,新小RdsOn)10V
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