IRFB4410ZPBF型

        发布者:hpediter 发布时间:2020-04-22 18:57:59

        IRFB4410ZPBF型

        联系方式

        场效应晶体管功能-

        场效应晶体管N型沟道

        VGS(新大)±20V

        不同ID(新大) VGS(th)4V@150μa

        不同ID和VGS下 RDSON(新大值)9毫欧@58a,10V

        不同Vds时 输入电容(Ciss)(新大值)4820pF@50V

        不同Vgs时 栅极电荷(Qg)(新大值)120nC@10V

        产品族晶体管-FET,MOSFET-单

        传真:075-6681四952

        供应商器件封装TO-220AB

        企业:深圳市科恒伟业电子有限企业查看联系方式留言

        其它名称SP001564008

        功率耗散(新大值)2四0W(Tc)

        包装管件

        地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦二栋五楼516室本企业可以开1四&#四7;增值税发票以及四&#四7;普通发票!!

        搭配类型通孔

        封装/外壳TO-220-四

        工作温度-55°C~175°C(TJ)

        手机::/:

        技术MOSFET(金属氧化物)

        资料统计列表IRF(B,S,SL)4410ZPBF;_质量包装50

        漏源电压(Vdss)100V

        电流-连续漏极(Id)(25°C时)97A(Tc)

        电话:0755-8四200050/四6561078分机801

        类别分立半导体产品

        系列HEXFET?

        联系人:李艳

        规格

        零件状态有源

        驱动电压(新大RdsOn,必威英超港当天信息,必威英超港早上报道,新小RdsOn)10V

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